三星電子於8月4日在美國加州聖塔克拉拉會議中心舉行的「FMS 2026」上,首次公開名為「zHBM」與「zNAND-O」的新一代3D記憶體架構。

三星電子表示,此技術透過將高頻寬記憶體(HBM)與NAND快閃記憶體進行垂直堆疊,旨在克服當前AI數據處理的瓶頸,並應對「代理式AI(Agentic AI)」時代的需求。韓國《電子新聞》(전자신문 ETNews)引述三星電子說明,此新架構的目標是在高效能運算(HPC)與AI基礎設施市場中,提供更高性能且更低功耗的記憶體解決方案,以鞏固其在AI時代的主導地位。

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