三星電子展示zHBM新架構 性能較HBM5提升8倍
08-06 00：36 · inff.cc · 000s5t
三星電子於8月4日在美國加州聖塔克拉拉會議中心舉行的「FMS 2026」上，首次公開名為「zHBM」與「zNAND-O」的新一代3D記憶體架構。
三星電子表示，此技術透過將高頻寬記憶體（HBM）與NAND快閃記憶體進行垂直堆疊，旨在克服當前AI數據處理的瓶頸，並應對「代理式AI（Agentic AI）」時代的需求。韓國《電子新聞》（전자신문 ETNews）引述三星電子說明，此新架構的目標是在高效能運算（HPC）與AI基礎設施市場中，提供更高性能且更低功耗的記憶體解決方案，以鞏固其在AI時代的主導地位。
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