SK海力士砸54兆韓元（約新台幣1.2兆元）擴廠 鎖定人工智慧記憶體市場 南韓半導體大廠 SK 海力士（SK hynix）宣布投入鉅資新建廠房，以擴大人工智慧（AI）記憶體的生產規模。 SK 海力士於 8 日召開董事會，決議投資總計 54.3 兆韓元（約新台幣1.2兆元），分別在龍仁與清州建設新廠。其中，將在龍仁半導體園區內興建代號「Y2」的 DRAM 生產基地，投資金額為 35.2 兆韓元（約新台幣7965億元）；同時在清州興建代號「M17」的 NAND Flash 生產基地，投資 19.1 兆韓元（約新台幣4322億元）。此次投資目的是擴充涵蓋高頻寬記憶體（HBM）在內的下一代 DRAM 與 NAND Flash 產能，以因應 AI 時代持續成長的記憶體需求。SK 海力士指出，此舉是落實公司今年 6 月公布的中長期投資戰略之一環，該戰略規劃向龍仁園區投入 600 兆韓元（約新台幣13.6兆元），並在清州基地擴增 100 兆韓元（約新台幣2.3兆元）的產能。